1200 V 碳化硅 (SiC) 二极管、MOSFET 和模块

ROHM 为了在许多应用中实现更高节能效果推出其下一代 SiC 功率器件和模块

Rohm Semiconductor 的 1200 V 碳化硅 SiC 二极管图片SiC 正成为下一代、低损耗元件的最可行候选材料,因为它在高温度条件下具有较低的导通电阻和优异的特性。ROHM 正在开发 SiC 功率器件和模块,能够在大量应用领域实现功耗节约,包括用于太阳能/风能电源与电动/混合动力车辆 DC/AC 转换器的高能效逆变器,到用于工业设备和空调的电源逆变器。

特性 应用
  • 低导通电阻
  • 快速开关速度
  • 快速反向恢复
  • 易于并联
  • 简单驱动
  • 无铅引线电镀
  • 符合 RoHS 规范
  • 太阳能逆变器
  • DC/DC 转换器
  • 开关模式电源
  • 感应加热
  • 电机驱动器

1200 V Silicon Carbide SiC Diodes

图片制造商零件编号描述可供货数量价格
SICFET N-CH 1200V 10A TO247SCT2450KECSICFET N-CH 1200V 10A TO2470 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
SICFET N-CH 1200V 14A TO247SCT2280KECSICFET N-CH 1200V 14A TO2470 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
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SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCT2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO2470 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
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MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEBSM120D12P2C005MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE11 - 立即发货$3,213.08查看详情
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2C101SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE1 - 立即发货$3,838.59查看详情

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发布日期: 2015-07-06