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PMV50XP 20 V、P 通道沟槽式 MOSFET

NXP 的 PMV50XP 20 V、P 通道沟槽式 MOSFET 具有 1096 mW 增强型功率耗散能力

NXP 的 PMV50XP 20 V、P 通道沟槽式 MOSFETNXP 提供其采用沟槽式 MOSFET 技术的 P 通道、增强模式场效应晶体管 (FET)，其封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

优势
  • 低阈值电压
  • 1096 mW 增强型功率耗散能力
  • 低导通电阻
  • 沟槽式 MOSFET 技术
应用
  • 继电器驱动器
  • 高速线路驱动器
  • 高压侧负载开关
  • 开关电路

P-Channel Standard FET

图片制造商零件编号描述漏源电压（Vdss）25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)可供货数量价格
MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236ABPMV50XPRMOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB20 V3.6A（Ta）8230 - 立即发货$3.25查看详情
更新日期： 2017-08-08
发布日期： 2015-09-21