IXYS

300 V 超结 X3 系列 HiPerFET™ 功率 MOSFET

IXYS 的 300 V X3 系列功率 MOSFET 具有基准导通电阻和栅极电荷品质因数

IXYS 的 300 V 超结 X3 系列功率 MOSFET 的图片IXYS LLC（现属于 Littelfuse）推出了一个新功率半导体产品线：300 V Ultra-Junction X3 系列 HiPerFET 功率 MOSFET。其导通电阻和栅极电荷分别低至 4.6 毫欧和 22 纳库伦，针对软硬开关电源转换应用进行了优化。

与 IXYS 的其他超结产品一样，这些新器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，使功率 MOSFET 具有同类最佳的品质因数（导通电阻乘以栅极电荷）。它们具有业界最低的导通电阻（例如，TO-264 封装为 5.5毫欧，SOT-227 为 4.6 毫欧），可实现电力系统中最高的功率密度和能效。

凭借超低反向恢复电荷和时间，快速体二极管能够在高速开关期间消除所有剩余能量，以避免器件故障并实现高效率。此外，新型 MOSFET 具有出色的 dv/dt 性能（最高 20 V/ns），并且具有雪崩功能。因此，这些坚固的设备需要的缓冲器更少，并且可以用于硬开关或谐振功率转换器。

目标应用包括用于电信电源的同步整流、电机控制（48 V 至 110 V 系统）、不间断电源、高性能D类音频放大器、DC-DC 转换器、太阳能逆变器和多电平逆变器。

该系列目前有 25 个产品可供，是业界最广泛的 300 V 超结 MOSFET 产品系列。它们采用以下国际标准尺寸封装：TO-3P、TO220（包覆成型或标准）、TO-247、PLUS247、TO-252、TO-263、TO-264、TO-268HV、SOT227。示例部件号包括 IXFY26N30X3、IXFA38N30X3、IXFT150N30X3HV 和 IXFN210N30X3，其额定电流分别为 26 A、38 A、150 A 和 210 A。

资源

特性
  • 一流的导通电阻 RDS(on) 和栅极电荷 Qg 品质因数
  • 快速恢复二极管
  • dv/dt 和雪崩稳健性
  • 国际标准封装
优势
  • 最高效率
  • 高功率密度
  • 易于加入设计
应用
  • 电信电源的同步整流
  • 电机控制（48 V 至 110 V 系统）
  • 不间断电源 (UPS)
  • 高性能 D 类音频放大器
  • DC-DC 转换器
  • 太阳能逆变器
  • 多级逆变器

300V Ultra-Junction X3-Class Power MOSFETs

图片制造商零件编号描述不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）可供货数量价格查看详情
MOSFET N-CH 300V 26A TO252AAIXFY26N30X3MOSFET N-CH 300V 26A TO252AA66 毫欧 @ 13A，10V22 nC @ 10 V6889 - 立即发货$36.58查看详情
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3IXFX210N30X3MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-35.5 毫欧 @ 105A，10V375 nC @ 10 V282 - 立即发货$268.53查看详情
MOSFET N-CH 300V 150A TO268HVIXFT150N30X3HVMOSFET N-CH 300V 150A TO268HV8.3 毫欧 @ 75A，10V254 nC @ 10 V475 - 立即发货$167.56查看详情
MOSFET N-CH 300V 120A TO268HVIXFT120N30X3HVMOSFET N-CH 300V 120A TO268HV11 毫欧 @ 60A，10V170 nC @ 10 V285 - 立即发货$144.55查看详情
MOSFET N-CH 300V 100A TO268HVIXFT100N30X3HVMOSFET N-CH 300V 100A TO268HV13.5 毫欧 @ 50A，10V122 nC @ 10 V0 - 立即发货$115.53查看详情
发布日期： 2018-12-17