GSI Technology

同步突发 SRAM

GSI Technology 的 SRAM 具有多种密度、封装和设计选项

GSI 技术同步突发 SRAM 图片GSI Technology 的 NBT SRAM 一直是中端数据采集设计的主力军，已有 15 多年的历史，并且可以提供各种密度、封装和设计选项。这些 SRAM 还带有长期存储 IC 支持计划。

SyncBurst SRAM 可针对单个时钟信号提供 2 到 4 个字的“突发”响应。SyncBurst SRAM 适合需要中端性能点（通常为 333 MHz 至 166 MHz 时钟速率）的网络、工业、汽车和医学成像应用。

特性
  • FT 引脚，用于用户可配置的直通或管道操作
  • 双周期取消选择 (DCD) 操作
  • 2.5 V 或 3.3 V ±10% 内核电源
  • 2.5 V 或 3.3 V I/O 电源
  • LBO 引脚用于线性或交错猝发模式
  • 模式引脚上的内部输入电阻器允许浮动模式引脚
  • 默认为交错流水线模式
  • 字节写入 (BW) 和/或全局写入 (GW) 操作
  • 内部自定时写周期
  • 便携式应用自动断电
  • 符合 RoHS 要求的 100 引线 TQFP 以及 119 和 165 焊球 BGA 封装

应用

  • 联网
  • 汽车
  • 医疗成像

250 MHz SRAMs

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IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFPGS84036CGT-250IIC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP0 - 立即发货$81.94查看详情
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IC SRAM 288MBIT PAR 119FPBGAGS8256418GB-250IIC SRAM 288MBIT PAR 119FPBGA0 - 立即发货$4,125.11查看详情
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300 MHz SRAMs

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400 MHz SRAMs

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发布日期： 2020-10-23