GSI Technology

低延迟 DRAM

GSI Technology 的 LLDRAM 可达到以往只能通过 SRAM 实现的访问速度

GSI Technology 低延迟 DRAM 图片GSI Technology 低延迟 DRAM (LLDRAM) 是高速存储设备，设计用于网络和电信应用中常见的高地址速率数据处理。8 组架构和低 tRC，达到以往只能通过 SRAM 实现的访问速度。

特性
  • 与 Micron RLDRAM® II 引脚和功能兼容
  • 533 MHz DDR 操作（1.067 Gbps/引脚数据速率）
  • 38.4 Gbps 峰值带宽 (533 MHz 时钟频率下为 x36）
  • 提供 x36、x18 和 x9 组织
  • 八个内部存储区，用于并发操作和最大带宽
  • 更短的周期时间（533 MHz 时为 15 ns）
  • 地址多路复用（提供非多路复用地址选项）
  • SRAM 型接口
  • 可编程读取延迟 (RL)、行循环时间和突发序列长度
  • 均衡的读写延迟以优化数据总线利用率
  • 写入命令的数据掩码
  • 差分输入时钟 (CK, CK)
  • 差分输入数据时钟 (DKx, DKx)
  • 片上 DLL 产生 CK 边缘对齐的数据并输出数据时钟信号
  • 数据有效信号 (QVLD)
  • 32 ms 刷新（每个存储体 8 K 刷新；每 32 ms 总共必须发出 64 K 刷新命令）
  • 144 球 μBGA 封装
  • HSTL I/O（1.5 V 或 1.8 V 标称）
  • 25 Ω 至 60 Ω 匹配阻抗输出
  • 2.5 V VEXT、1.8 V VDD、1.5 V 或 1.8 V VDDQ 输入输出
  • 片内端接 (ODT) RTT
  • 商业和工业温度

应用

  • 查找表
  • 队列缓冲
  • 图像处理

LLDRAM IC's

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发布日期： 2020-10-23