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EPC 的氮化镓 (GaN) 晶体管具有极高的电子迁移率和低温度系数，从而允许非常低的 RDS(on) 。它们的横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的 QG 和零 QRR。因此，该设备可以处理极高开关频率和低导通时间较为有益的任务以及主要损耗为导通损耗的场合。
发布日期：2023-08-31
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