Wolfspeed

1000 V 碳化硅 MOSFET

Wolfspeed 的 SiC MOSFET 提供具有低输出电容的高速开关

Image of Wolfspeed 1000 V Silicon Carbide MOSFETsWolfspeed 现推出一系列针对电动汽车充电系统、工业电源、可再生能源和其他快速开关器件做过优化的 1000 V MOSFET。

1000 V SiC MOSFET 通过提供一种具有低导通电阻、超低输出电容和低源电感的独特器件来解决许多功率设计难题，从而实现了低开关损耗和低传导损耗的完美融合。与基于硅的解决方案相比，Wolfspeed 的碳化硅功率器件技术可在电感器、电容器、滤波器和变压器等器件上实现更高的系统功率密度、更高的开关频率、更少的元件数量和更小的元件尺寸。

特性
  • 在整个工作温度范围内最低 1000 V(BR)（无需降额）
  • 具有驱动器源极引脚的低阻抗封装
  • 具有低输出电容的高速开关
  • 高阻断电压，低 RDS(ON)
  • 雪崩稳健性
  • 具有低反向恢复 (QRR) 的快速本征二极管
  • 易于并联且易于驱动
  • 开尔文栅极源极引脚可减少开关损耗和瞬时振荡
  • 爬电距离宽，可支持更高电压
  • 降低整体系统成本
  • 在缩小系统尺寸的同时提高了系统效率
  • 元件数减少 30%，同时功率密度增加 300% 以上，输出功率增加 33%
  • 支持硬开关拓扑
应用
  • 工业电源
  • 可再生能源系统
  • 快速电动汽车充电系统
  • 车载电动汽车充电

1000 V MOSFETs

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SiC Evaluation Kit

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发布日期： 2020-04-14

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