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ACPL-W349 光耦合器

Broadcom 的 ACPL-W349 是 2.5 A 输出电流 SiC/GaN MOSFET 和 IGBT 栅极驱动光耦合器，具有高达 1200 V/100 A 的额定值

Broadcom 的 ACPL-W349 光耦合器图片Broadcom ACPL-W349 包含 AlGaAs LED，以光耦合方式连接到带有功率输出级的集成电路。这种光耦合器非常适合用于驱动功率转换应用中使用的 SiC/GaN（硅碳化物/氮化镓）MOSFET 和 IGBT。高工作电压范围输出级提供栅极控制器件所需的驱动电压。这种光耦合器所具有的电压和高峰值输出电流使该器件非常适合直接驱动额定值高达 1200 V/100 A 的 SiC/GaN MOSFET 和 IGBT。

特性  
  • 最高输出峰值电流 2.5 A
  • 宽工作 VCC 范围：15 V 至 30 V
  • 最长传播延迟 110 ns
  • 最大传播延迟差 50 ns
  • 轨至轨输出电压
  • VCM = 1500 V 时，最小共模抑制比 (CMR) 为 100 kV/μs
  • 带滞后的 LED 电流输入
  • 最大电源电流 ICC = 4.2 mA
  • 安全认证
    • UL 认证 5000 VRMS，持续 1 分钟
    • CSA
    • IEC/EN/DIN EN 60747-5-5 VIORM = 1140 VPEAK
  • 具有滞后的欠压锁定保护 (UVLO)
  • 工业温度范围：-40°C 至 +105°C
应用
  • SiC/GaN MOSFET 和 IGBT 栅极驱动
  • 电机驱动器
  • 工业逆变器
  • 可再生能源逆变器
  • 开关式电源

ACPL-W349 Optocoupler

图片制造商零件编号描述共模瞬变抗扰度（最小值）传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）脉宽失真（最大）可供货数量价格查看详情
OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SOACPL-W349-000EOPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO100kV/µs110ns，110ns40ns960 - 立即发货$44.08查看详情
发布日期： 2018-03-29

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