今天还是分享一下在高密度电源模块（如VRM、DC-DC转换器）的EMI抑制方面积累的一些实战经验。这次从布局拓扑重构的维度，分享如何通过底层设计降低EMI辐射。
布局拓扑的“反直觉设计”
传统布局强调“最短路径”，但在高密度场景下需打破常规：
Boot电容的“非对称布局”：将Boot电容放置在远离Phase节点的另一侧地平面，通过过孔形成“寄生电感-电容谐振腔”，可抑制高频振荡（实测频率点从200MHz迁移至400MHz，超出FCC限值范围）。
热噪声隔离区：在MOSFET与PWM控制器间设置“隔离带”（保留≥3mm无铜区域），配合屏蔽罩接地，可将控制器结温降低8℃，同时减少热噪声耦合。
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