单 FET,MOSFET

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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
290,825
现货
1 : ¥1.16000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.22497
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta),300mA(Tc)
5V,10V
4.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW(Ta),1.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
65,907
现货
1 : ¥1.16000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.22709
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta)
5V,10V
4.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW(Ta),1.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
445,388
现货
1 : ¥1.24000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.23804
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Ta)
4.5V,10V
3.9 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
1,248,829
现货
1 : ¥1.32000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.25601
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
400mA(Ta)
4.5V,10V
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
sot-23
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Diotec Semiconductor
134,238
现货
1 : ¥1.32000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.26486
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
280mA(Ta)
5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
5,109
现货
1 : ¥1.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27363
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
310mA(Ta)
5V,10V
3 欧姆 @ 115mA,10V
2V @ 250µA
0.87 nC @ 10 V
±20V
22 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
89,644
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥1.49000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29408
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
1.08W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
38,443
现货
1 : ¥1.57000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.31142
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
350mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW(Ta)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
213,691
现货
1 : ¥1.65000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32485
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
360mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MMBT2222AWT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
150,280
现货
1 : ¥1.65000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.31448
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
310mA(Ta)
4.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
189,512
现货
1 : ¥1.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32372
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
4.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
96,110
现货
1 : ¥1.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32832
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
29,019
现货
1 : ¥1.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.35131
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
180mA(Ta)
5V,10V
6 欧姆 @ 115mA,5V
2V @ 250µA
-
±20V
23 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DTC114YEBTL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
902,225
现货
1 : ¥1.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.35784
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
200mA(Ta)
1.2V,2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA,2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
EMT3F(SOT-416FL)
SC-89,SOT-490
BCV27
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
722,687
现货
1 : ¥1.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.34414
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
220mA(Ta)
2.7V,4.5V
4 欧姆 @ 400mA,4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 155°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
129,148
现货
1 : ¥1.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.35784
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
200mA(Ta)
1.5V,4.5V
2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 1mA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW(Ta)
150°C(TA)
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75,SOT-416
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
120,596
现货
1 : ¥1.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.34505
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
27,647
现货
1 : ¥1.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36531
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
27,305
现货
1 : ¥1.82000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.30557
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
250mA(Ta)
1.2V,4.5V
1.1 欧姆 @ 150mA,4.5V
1V @ 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
DTA124EUBHZGTL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
1,475,791
现货
1 : ¥1.90000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39010
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
0.9V,4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
UMT3F
SC-85
117,673
现货
1 : ¥1.90000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.30912
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
400mA(Ta)
4.5V,10V
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
CST3
SC-101,SOT-883
SOT-23-3
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
83,958
现货
1 : ¥1.90000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.35558
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Nexperia USA Inc.
12,007
现货
1 : ¥1.90000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37888
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
310mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
46,449
现货
1 : ¥1.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.40597
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
10V
6 欧姆 @ 170mA,10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-523
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Diodes Incorporated
10,953
现货
1 : ¥1.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37794
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
显示
/ 44,207

单 FET、MOSFET


单场效应晶体管 (FET) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 是用于放大或开关电子信号的晶体管类型。

单 FET 的工作原理是,通过施加于栅极端子的电压产生的电场,来控制源极和漏极端子之间的电流流动。FET 的主要优点是输入阻抗高,因而非常适合用于信号放大和模拟电路。它们广泛应用于电子电路中的放大器振荡器缓冲器级等应用。

MOSFET 是 FET 的一个子类型,其栅极端子通过一个薄氧化层与沟道绝缘,从而增强其性能并提高效率。MOSFET 可进一步分为两类:

MOSFET 因其功耗低、开关速度快并且能够处理大电流和电压,在许多应用中备受青睐。它们在电源、电机驱动器和射频应用等数字和模拟电路中起到至关重要的作用。

MOSFET 的运行可分为两种模式:

  • 增强模式:在此模式下,当栅源电压为零时,MOSFET 处于常闭状态。它需要正栅源电压(对于 n 沟道)或负栅源电压(对于 p 沟道)才能导通。
  • 耗尽模式:在此模式下,当栅源电压为零时,MOSFET 处于常开状态。施加相反极性的栅源电压可将其关断。

MOSFET 具有多种优势,例如:

  1. 效率高:它们的功耗很小,并且可以快速切换状态,因此对于电源管理应用来说非常高效。
  2. 导通电阻低:导通时的电阻较低,可最大限度地减少功率损耗和热量产生。
  3. 输入阻抗高:绝缘栅结构导致输入阻抗极高,因而成为高阻抗信号放大的理想选择。

总之,单 FET,特别是 MOSFET,是现代电子产品的基本组件,以其效率、速度和多功能性而著称,广泛应用于从低功率信号放大到高功率开关和控制等各种应用。