单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳
NX7002AK,215 MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	1,905 现货	1 : ¥1.16000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.22709 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	190mA（Ta）	5V，10V	4.5 欧姆 @ 100mA，10V	2.1V @ 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	265mW（Ta），1.33W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-236AB	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	505,571 现货	1 : ¥1.24000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.23804 卷带（TR）	U-MOSVII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	200mA（Ta）	4.5V，10V	3.9 欧姆 @ 100mA，10V	2.1V @ 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	1,150,587 现货	1 : ¥1.32000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.25601 卷带（TR）	U-MOSVII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	400mA（Ta）	4.5V，10V	1.5 欧姆 @ 100mA，10V	2.1V @ 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2N7002-TP MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	97,048 现货	1 : ¥1.41000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.27363 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	115mA（Ta）	5V，10V	7.5 欧姆 @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	1.08W	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DMN65D8L-7 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 Diodes Incorporated	12,969 现货	1 : ¥1.41000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.27363 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	310mA（Ta）	5V，10V	3 欧姆 @ 115mA，10V	2V @ 250µA	0.87 nC @ 10 V	±20V	22 pF @ 25 V	-	370mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2N7002WT1G MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 onsemi	94,493 现货	1 : ¥1.65000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.31448 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	310mA（Ta）	4.5V，10V	1.6 欧姆 @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	280mW（Tj）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SC-70-3（SOT323）	SC-70，SOT-323
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	80,527 现货	1 : ¥1.65000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.30048 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	115mA（Ta）	5V，10V	7.5 欧姆 @ 50mA，5V	2.5V @ 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SSM3K72KFS,LF MOSFET N-CH 60V 300MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	79,487 现货	1 : ¥1.65000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.32485 卷带（TR）	U-MOSVII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	300mA（Ta）	4.5V，10V	1.5 欧姆 @ 100mA，10V	2.1V @ 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	150mW（Ta）	150°C	-	-	表面贴装型	SSM	SC-75，SOT-416
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	346,357 现货	1 : ¥1.74000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.32832 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	50 V	200mA（Ta）	10V	3.5 欧姆 @ 220mA，10V	1.5V @ 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	217,366 现货	1 : ¥1.74000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.32372 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	320mA（Ta）	4.5V，10V	1.6 欧姆 @ 500mA，10V	2.3V @ 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3（TO-236）	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2N7002A-7 MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Diodes Incorporated	108,491 现货	1 : ¥1.74000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.35131 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	180mA（Ta）	5V，10V	6 欧姆 @ 115mA，5V	2V @ 250µA	-	±20V	23 pF @ 25 V	-	370mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	1,012,103 现货	1 : ¥1.82000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.35784 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	200mA（Ta）	1.2V，2.5V	1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V	1V @ 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	EMT3F（SOT-416FL）	SC-89，SOT-490
FDV301N MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 onsemi	235,401 现货	1 : ¥1.82000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.34354 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	220mA（Ta）	2.7V，4.5V	4 欧姆 @ 400mA，4.5V	1.06V @ 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	9.5 pF @ 10 V	-	350mW（Ta）	-55°C ~ 155°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	81,378 现货	1 : ¥1.82000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.34505 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	260mA（Ta）	4.5V，10V	2.5 欧姆 @ 240mA，10V	2.5V @ 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW（Tj）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3（TO-236）	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SSM3K35AMFV,L3F MOSFET N-CH 20V 250MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	56,614 现货	1 : ¥1.82000 剪切带（CT） 8,000 : ¥0.30557 卷带（TR）	U-MOSIII	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	250mA（Ta）	1.2V，4.5V	1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V	1V @ 100µA	0.34 nC @ 4.5 V	±10V	36 pF @ 10 V	-	500mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	VESM	SOT-723
SSM3K37FS,LF MOSFET N-CH 20V 200MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	27,344 现货	1 : ¥1.82000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.35784 卷带（TR）	U-MOSIII	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	200mA（Ta）	1.5V，4.5V	2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V	1V @ 1mA	-	±10V	12 pF @ 10 V	-	100mW（Ta）	150°C（TA）	-	-	表面贴装型	SSM	SC-75，SOT-416
DMN63D8L-7 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23 Diodes Incorporated	10,178 现货	1 : ¥1.82000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.37243 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	350mA（Ta）	2.5V，10V	2.8 欧姆 @ 250mA，10V	1.5V @ 250µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	350mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS138PW,115 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Nexperia USA Inc.	3,286 现货	1 : ¥1.82000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.35947 卷带（TR）	TrenchMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	320mA（Ta）	10V	1.6 欧姆 @ 300mA，10V	1.5V @ 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	260mW（Ta），830mW（Tc）	-55°C ~ 150°C（TA）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	SOT-323	SC-70，SOT-323
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	290,390 现货	1 : ¥1.90000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.39010 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	50 V	200mA（Ta）	0.9V，4.5V	2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V	800mV @ 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	UMT3F	SC-85
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	252,803 现货	1 : ¥1.90000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.35558 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	50 V	130mA（Ta）	5V	10 欧姆 @ 100mA，5V	2V @ 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SSM3K72KCT,L3F MOSFET N-CH 60V 400MA CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	3,583 现货	1 : ¥1.90000 剪切带（CT） 10,000 : ¥0.30912 卷带（TR）	U-MOSVII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	400mA（Ta）	4.5V，10V	1.5 欧姆 @ 100mA，10V	2.1V @ 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	500mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	CST3	SC-101，SOT-883
2N7002T-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 Diodes Incorporated	144,636 现货	1 : ¥1.98000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.37794 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	115mA（Ta）	5V，10V	7.5 欧姆 @ 50mA，5V	2V @ 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	150mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-523	SOT-523
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	98,496 现货	1 : ¥1.98000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.40597 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	170mA（Ta）	10V	6 欧姆 @ 170mA，10V	2V @ 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2N7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 onsemi	45,607 现货	1 : ¥1.98000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.38235 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	115mA（Tc）	5V，10V	7.5 欧姆 @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3（TO-236）	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Infineon Technologies	25,375 现货	1 : ¥1.98000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.39646 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	300mA（Ta）	4.5V，10V	3 欧姆 @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	0.6 nC @ 10 V	±20V	20 pF @ 25 V	-	500mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-SOT23	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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单 FET、MOSFET

单场效应晶体管 (FET) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 是用于放大或开关电子信号的晶体管类型。

单 FET 的工作原理是，通过施加于栅极端子的电压产生的电场，来控制源极和漏极端子之间的电流流动。FET 的主要优点是输入阻抗高，因而非常适合用于信号放大和模拟电路。它们广泛应用于电子电路中的放大器、振荡器和缓冲器级等应用。

MOSFET 是 FET 的一个子类型，其栅极端子通过一个薄氧化层与沟道绝缘，从而增强其性能并提高效率。MOSFET 可进一步分为两类：

n 沟道 MOSFET：其中的主要载流子是电子。
p 沟道 MOSFET：其中的主要载流子是空穴。

MOSFET 因其功耗低、开关速度快并且能够处理大电流和电压，在许多应用中备受青睐。它们在电源、电机驱动器和射频应用等数字和模拟电路中起到至关重要的作用。

MOSFET 的运行可分为两种模式：

增强模式：在此模式下，当栅源电压为零时，MOSFET 处于常闭状态。它需要正栅源电压（对于 n 沟道）或负栅源电压（对于 p 沟道）才能导通。
耗尽模式：在此模式下，当栅源电压为零时，MOSFET 处于常开状态。施加相反极性的栅源电压可将其关断。

MOSFET 具有多种优势，例如：

效率高：它们的功耗很小，并且可以快速切换状态，因此对于电源管理应用来说非常高效。
导通电阻低：导通时的电阻较低，可最大限度地减少功率损耗和热量产生。
输入阻抗高：绝缘栅结构导致输入阻抗极高，因而成为高阻抗信号放大的理想选择。

总之，单 FET，特别是 MOSFET，是现代电子产品的基本组件，以其效率、速度和多功能性而著称，广泛应用于从低功率信号放大到高功率开关和控制等各种应用。

单 FET、MOSFET

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