晶体管 - FET，MOSFET - 单个

结果 : 40174

每页结果数

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制造商零件编号	价格	库存	供应商	制造商	最小数量	DK 零件编号	系列	包装	零件状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

EPC2052 GANFET N-CH 100V 8.2A DIE	¥ 13.67000	16782 - Immediate	EPC	EPC	1	917-1202-2-ND 917-1202-1-ND 917-1202-6-ND	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	GaNFET（氮化镓）	100 V	8.2A（Ta）	5V	13.5 毫欧 @ 11A，5V	2.5V @ 3mA	4.5 nC @ 5 V	+6V，-4V	575 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	模具	模具
EPC2206 GANFET N-CH 80V 90A DIE	¥ 49.23000	12673 - Immediate	EPC	EPC	1	917-1212-2-ND 917-1212-1-ND 917-1212-6-ND	eGaN®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	GaNFET（氮化镓）	80 V	90A（Ta）	5V	2.2 毫欧 @ 29A，5V	2.5V @ 13mA	19 nC @ 5 V	+6V，-4V	1940 pF @ 40 V	-	-	-40°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	模具	模具
SSM3K36MFV,L3F MOSFET N-CH 20V 500MA VESM	¥ 3.15000	124380 - Immediate	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	1	SSM3K36MFVL3FTR-ND SSM3K36MFVL3FCT-ND SSM3K36MFVL3FDKR-ND	U-MOSIII	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	500mA（Ta）	1.5V，5V	630 毫欧 @ 200mA，5V	1V @ 1mA	1.23 nC @ 4 V	±10V	46 pF @ 10 V	-	150mW（Ta）	150°C（TJ）	表面贴装型	VESM	SOT-723
RYM002N05T2CL MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3	¥ 3.53000	63904 - Immediate	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	1	RYM002N05T2CLTR-ND RYM002N05T2CLCT-ND RYM002N05T2CLDKR-ND	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	50 V	200mA（Ta）	0.9V，4.5V	2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V	800mV @ 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW（Ta）	150°C（TJ）	表面贴装型	VMT3	SOT-723
BSS214NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3	¥ 3.61000	13310 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	BSS214NH6327XTSA1TR-ND BSS214NH6327XTSA1CT-ND BSS214NH6327XTSA1DKR-ND	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	1.5A（Ta）	2.5V，4.5V	140 毫欧 @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 3.7µA	0.8 nC @ 5 V	±12V	143 pF @ 10 V	-	500mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	SOT-23-3	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SIA483DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6	¥ 4.07000	56867 - Immediate	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	1	SIA483DJ-T1-GE3TR-ND SIA483DJ-T1-GE3CT-ND SIA483DJ-T1-GE3DKR-ND	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	12A（Tc）	4.5V，10V	21 毫欧 @ 5A，10V	2.2V @ 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	1550 pF @ 15 V	-	3.5W（Ta），19W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	PowerPAK® SC-70-6 单	PowerPAK® SC-70-6
IRF8714TRPBF MOSFET N-CH 30V 14A 8SO	¥ 5.61000	5415 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	IRF8714TRPBFTR-ND IRF8714TRPBFCT-ND IRF8714TRPBFDKR-ND	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	14A（Ta）	4.5V，10V	8.7 毫欧 @ 14A，10V	2.35V @ 25µA	12 nC @ 4.5 V	±20V	1020 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FDMC8882 MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP	¥ 5.84000	9763 - Immediate	ON Semiconductor	ON Semiconductor	1	FDMC8882FSTR-ND FDMC8882FSCT-ND FDMC8882FSDKR-ND	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	10.5A（Ta），16A（Tc）	4.5V，10V	14.3 毫欧 @ 10.5A，10V	2.5V @ 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	945 pF @ 15 V	-	2.3W（Ta），18W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-MLP（3.3x3.3）	8-PowerWDFN
BSC066N06NSATMA1 MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6	¥ 9.83000	11064 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	BSC066N06NSATMA1TR-ND BSC066N06NSATMA1CT-ND BSC066N06NSATMA1DKR-ND	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	64A（Tc）	6V，10V	6.6 毫欧 @ 50A，10V	3.3V @ 20µA	21 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 30 V	-	2.5W（Ta），46W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	PG-TDSON-8-6	8-PowerTDFN
BSC12DN20NS3GATMA1 MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON	¥ 10.37000	17517 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	BSC12DN20NS3GATMA1TR-ND BSC12DN20NS3GATMA1CT-ND BSC12DN20NS3GATMA1DKR-ND	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	11.3A（Tc）	10V	125 毫欧 @ 5.7A，10V	4V @ 25µA	8.7 nC @ 10 V	±20V	680 pF @ 100 V	-	50W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	PG-TDSON-8-5	8-PowerTDFN
IRF7470TRPBF MOSFET N-CH 40V 10A 8SO	¥ 11.37000	5368 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	IRF7470PBFTR-ND IRF7470PBFCT-ND IRF7470PBFDKR-ND	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	10A（Ta）	2.8V，10V	13 毫欧 @ 10A，10V	2V @ 250µA	44 nC @ 4.5 V	±12V	3430 pF @ 20 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SI7149DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8	¥ 12.67000	4457 - Immediate	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	1	SI7149DP-T1-GE3TR-ND SI7149DP-T1-GE3CT-ND SI7149DP-T1-GE3DKR-ND	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	50A（Tc）	4.5V，10V	5.2 毫欧 @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	147 nC @ 10 V	±25V	4590 pF @ 15 V	-	69W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
IRL530NSTRLPBF MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK	¥ 10.29000	13044 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	IRL530NSTRLPBFTR-ND IRL530NSTRLPBFCT-ND IRL530NSTRLPBFDKR-ND	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	17A（Tc）	4V，10V	100 毫欧 @ 9A，10V	2V @ 250µA	34 nC @ 5 V	±20V	800 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
SIR692DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8	¥ 14.36000	2029 - Immediate	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	1	SIR692DP-T1-RE3TR-ND SIR692DP-T1-RE3CT-ND SIR692DP-T1-RE3DKR-ND	ThunderFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	24.2A（Tc）	7.5V，10V	63 毫欧 @ 10A，10V	4V @ 250µA	30 nC @ 7.5 V	±20V	1405 pF @ 125 V	-	104W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SQJ431EP-T1_GE3 MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8	¥ 14.44000	23575 - Immediate	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	1	SQJ431EP-T1_GE3TR-ND SQJ431EP-T1_GE3CT-ND SQJ431EP-T1_GE3DKR-ND	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	12A（Tc）	6V，10V	213 毫欧 @ 1A，4V	3.5V @ 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	4355 pF @ 25 V	-	83W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
BSC070N10NS3GATMA1 MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8	¥ 13.36000	2105 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	BSC070N10NS3GATMA1TR-ND BSC070N10NS3GATMA1CT-ND BSC070N10NS3GATMA1DKR-ND	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	90A（Tc）	6V，10V	7 毫欧 @ 50A，10V	3.5V @ 75µA	55 nC @ 10 V	±20V	4000 pF @ 50 V	-	114W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	PG-TDSON-8-1	8-PowerTDFN
IRF3710ZSTRLPBF MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK	¥ 13.06000	8188 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	IRF3710ZSTRLPBFTR-ND IRF3710ZSTRLPBFCT-ND IRF3710ZSTRLPBFDKR-ND	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	59A（Tc）	10V	18 毫欧 @ 35A，10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 25 V	-	160W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
FDMS86102LZ MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN	¥ 16.67000	22875 - Immediate	ON Semiconductor	ON Semiconductor	1	FDMS86102LZTR-ND FDMS86102LZCT-ND FDMS86102LZDKR-ND	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	7A（Ta），22A（Tc）	4.5V，10V	25 毫欧 @ 7A，10V	2.5V @ 250µA	22 nC @ 10 V	±20V	1305 pF @ 50 V	-	2.5W（Ta），69W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-PQFN（5x6）	8-PowerTDFN
IRLD024PBF MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP	¥ 9.37000	7309 - Immediate	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	1	IRLD024PBF-ND	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	2.5A（Ta）	4V，5V	100 毫欧 @ 1.5A，5V	2V @ 250µA	18 nC @ 5 V	±10V	870 pF @ 25 V	-	1.3W（Ta）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	4-HVMDIP	4-DIP（0.300"，7.62mm）
SI7469DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8	¥ 21.43000	2416 - Immediate	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	1	SI7469DP-T1-GE3TR-ND SI7469DP-T1-GE3CT-ND SI7469DP-T1-GE3DKR-ND	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	28A（Tc）	4.5V，10V	25 毫欧 @ 10.2A，10V	3V @ 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	4700 pF @ 40 V	-	5.2W（Ta），83.3W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SQM50P08-25L_GE3 MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263	¥ 19.05000	1897 - Immediate	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	1	SQM50P08-25L_GE3TR-ND SQM50P08-25L_GE3CT-ND SQM50P08-25L_GE3DKR-ND	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	50A（Tc）	4.5V，10V	25 毫欧 @ 12.5A，10V	2.5V @ 250µA	137 nC @ 10 V	±20V	5350 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	TO-263（D²Pak）	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
BSC014N04LSIATMA1 MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON	¥ 22.73000	44841 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	BSC014N04LSIATMA1TR-ND BSC014N04LSIATMA1CT-ND BSC014N04LSIATMA1DKR-ND	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	31A（Ta），100A（Tc）	4.5V，10V	1.45 毫欧 @ 50A，10V	2V @ 250µA	55 nC @ 10 V	±20V	4000 pF @ 20 V	-	2.5W（Ta），96W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	PG-TDSON-8 FL	8-PowerTDFN
SUD50N06-09L-E3 MOSFET N-CH 60V 50A TO252	¥ 23.73000	3434 - Immediate	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	1	SUD50N06-09L-E3TR-ND SUD50N06-09L-E3CT-ND SUD50N06-09L-E3DKR-ND	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	50A（Tc）	4.5V，10V	9.3 毫欧 @ 20A，10V	3V @ 250µA	70 nC @ 10 V	±20V	2650 pF @ 25 V	-	3W（Ta），136W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	TO-252，（D-Pak）	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
IRFZ44PBF MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB	¥ 14.21000	4146 - Immediate	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	1	IRFZ44PBF-ND	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	50A（Tc）	10V	28 毫欧 @ 31A，10V	4V @ 250µA	67 nC @ 10 V	±20V	1900 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
BUK961R6-40E,118 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK	¥ 23.58000	2272 - Immediate	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.	1	1727-1895-2-ND 1727-1895-1-ND 1727-1895-6-ND	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel®	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	120A（Tc）	5V	1.4 毫欧 @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	120 nC @ 5 V	±10V	16400 pF @ 25 V	-	357W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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