单 FET,MOSFET

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系列
-*
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A(Ta)1.6A(Tc)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 1mA-
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制造商零件编号
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价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3-MCPH
MCH3375-TL-H
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.6A(Tc)
4V,10V
295 毫欧 @ 800mA,10V
-
2.2 nC @ 10 V
±20V
82 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
3-MCPH
MCH3375-TL-W
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.6A(Ta)
4V,10V
295 毫欧 @ 800mA,10V
2.6V @ 1mA
2.2 nC @ 10 V
±20V
82 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC-70FL
MCH3375-TL-W-Z
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC-70FL
onsemi
0
现货
停产
*
卷带(TR)
停产
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4V,10V
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±20V
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。