IGBT 模块

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	IGBT 类型	配置	电压 - 集射极击穿（最大值）	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	功率 - 最大值	不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Vce 时输入电容 (Cies)	输入	NTC 热敏电阻	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

NXH80T120L3Q0P3G PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80 onsemi	0 现货查看交期	1 : ¥554.89000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	1200 V	75 A	188 W	2.4V @ 15V，80A	300 µA	18150 pF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	20-PIM/Q0PACK（55x32.5）
NXH450N65L4Q2F2PG 650V 450A 3-LEVEL NPC INVERTER M onsemi	36 现货	1 : ¥1,004.25000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	650 V	167 A	365 W	2.2V @ 15V，225A	300 µA	14630 pF @ 20 V	标准	无	150°C（TJ）	底座安装	模块	36-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH450N65L4Q2F2S1G 120KW 1100V Q2PACK onsemi	32 现货	1 : ¥1,079.86000 托盘	-	托盘	在售	场截止	三级反相器	650 V	167 A	365 W	2.2V @ 15V，225A	300 µA	14630 pF @ 20 V	标准	无	175°C（TJ）	底座安装	模块	40-PIM/Q2PACK（107.2x47）
NXH800A100L4Q2F2S2G MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE onsemi	36 现货	1 : ¥1,092.50000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	1000 V	309 A	714 W	2.3V @ 15V，400A	20 µA	49.7 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	51-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH800A100L4Q2F2S1G MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE onsemi	36 现货	1 : ¥1,092.50000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	1000 V	309 A	714 W	2.3V @ 15V，400A	20 µA	49.7 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	51-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH600N65L4Q2F2SG 150KW 1100V Q2PACK SOLDER PIN onsemi	32 现货	1 : ¥1,208.66000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	650 V	483 A	931 W	2.2V @ 15V，600A	100 µA	37.1 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	41-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH160T120L2Q2F2S1G PIM POWER MODULE onsemi	36 现货	1 : ¥1,224.26000 托盘	-	托盘	在售	-	三级反相器	1200 V	181 A	500 W	2.7V @ 15V，160A	500 µA	38.8 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	56-PIM/Q2PACK（93x47）
SNXH80T120L2Q0P2G IC MODULE PIM 1200V 80A onsemi	0 现货	停产	-	托盘	停产	沟槽型场截止	三级反相器	1200 V	67 A	158 W	2.85V @ 15V，80A	300 µA	19.4 nF @ 20 V	标准	是	175°C（TJ）	底座安装	模块	20-PIM/Q0PACK（55x32.5）
NXH80B120H2Q0SG PIM 1200V, 40A DUAL BOOST onsemi	19 现货	1 : ¥642.05000 托盘	*	托盘托盘	停产	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
NXH35C120L2C2ESG IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG onsemi	0 现货	6 : ¥651.52167 管件	-	管件	最后售卖	-	三相反相器，带制动器	1200 V	35 A	20 mW	2.4V @ 15V，35A	250 µA	8.333 nF @ 20 V	三相桥式整流器	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	通孔	26-PowerDIP 模块（1，199"，47，20mm）	26-DIP
FPF2C8P2NL07A IGBT MODULE 650V 30A 135W F2 onsemi	0 现货	停产	-	管件	停产	场截止	Three Phase	650 V	30 A	135 W	2.2V @ 15V，30A	250 µA	-	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	F2 模块	F2
NXH35C120L2C2SG IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG onsemi	0 现货	6 : ¥833.81000 管件	-	管件	最后售卖	-	三相反相器，带制动器	1200 V	35 A	20 mW	2.4V @ 15V，35A	250 µA	8.33 nF @ 20 V	三相桥式整流器	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	通孔	26-PowerDIP 模块（1，199"，47，20mm）	26-DIP
FPF2G120BF07ASP IGBT MODULE 650V 40A 156W F2 onsemi	0 现货	停产	-	托盘	停产	场截止	3 个独立式	650 V	40 A	156 W	2.2V @ 15V，40A	250 µA	-	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	通孔	模块	F2
FPF2G120BF07AS IGBT MODULE 650V 40A 156W F2 onsemi	64 现货	1 : ¥873.89000 托盘	-	托盘托盘	停产	场截止	3 个独立式	650 V	40 A	156 W	2.2V @ 15V，40A	250 µA	-	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	通孔	模块	F2
NXH350N100H4Q2F2PG IC MODULE PIM 350A 1000V onsemi	0 现货	停产	-	托盘	停产	沟槽型场截止	三级反相器	1000 V	303 A	592 W	1.8V @ 15V，375A	1 mA	24.146 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	42-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH100T120L3Q0S1NG 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA onsemi	24 现货	1 : ¥514.86000 托盘	-	托盘	在售	-	三级反相器	650 V	54 A	122 W	2.2V @ 15V，75A	200 µA	4877 pF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	18-PIM/Q0PACK（55x32.5）
SNXH75M65L3F2STG IGBT MODULE FULL 650V 75A 32PIM onsemi	20 现货	1 : ¥538.20000 托盘	-	托盘	在售	场截止	全桥反相器	650 V	75 A	236 W	2.2V @ 15V，75A	250 µA	-	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	32-PIM（56.7x42.5）
NXH50M65L4Q1SG Q1PACK 50A 650V onsemi	21 现货 2,394 工厂	1 : ¥547.24000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	全桥	650 V	48 A	86 W	2.22V @ 15V，50A	300 µA	3.137 nF @ 20 V	标准	是	175°C（TJ）	底座安装	模块	56-PIM（93x47）
NXH75M65L4Q1PTG 6KW H6.5 75A Q1PACK PRESS-FIT PI onsemi	21 现货	1 : ¥572.93000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	650 V	59 A	86 W	5.5µs，10µs	300 µA	5.665 nF @ 30 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	53-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH80T120L2Q0S2G PIM 1200V 80A TNPC STAND onsemi	0 现货 1,968 工厂查看交期	1 : ¥602.07000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	1200 V	67 A	158 W	2.85V @ 15V，80A	300 µA	19400 pF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	20-PIM/Q0PACK（55x32.5）
NXH75M65L4Q1SG Q1PACK 75A 650V onsemi	21 现货	1 : ¥602.48000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	650 V	59 A	86 W	5.5µs，10µs	300 µA	5.665 nF @ 30 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	56-PIM（93x47）
SNXH160T120L2Q1PG 160A 1200V PIM Q1PACK onsemi	21 现货	1 : ¥732.04000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	1200 V	140 A	280 W	2V @ 15V，150A	400 µA	19380 pF @ 25 V	标准	是	175°C（TJ）	底座安装	模块	-
NXH160T120L2Q1SG PIM Q1 SPLIT T-TYPE NPC 160A 120 onsemi	15 现货	1 : ¥748.77000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	1200 V	140 A	280 W	2.5V @ 15V，160A	800 µA	38164 pF @ 25 V	标准	是	150°C（TJ）	底座安装	模块	30-PIM（71x37.4）
NXH25T120L2Q1PG PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 25A onsemi	0 现货查看交期	1 : ¥814.04000 托盘	-	托盘	在售	-	三相反相器	1200 V	25 A	81 W	2.5V @ 15V，25A	300 µA	8.502 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	44-PIM（71x37.4）
NXH400N100L4Q2F2SG ESS 200KW PIM SOLDER PIN onsemi	15 现货	1 : ¥1,740.79000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	1000 V	360 A	980 W	2.2V @ 15V，400A	25 µA	26.06 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	48-PIM/Q2PACK（93x47）

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绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥；升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

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