单 FET，MOSFET

结果 : 4
产品状态
停产在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Ta）1.4A（Tc）
功率耗散（最大值）
54W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-
供应商器件封装
I2PAKTO-220AB
封装/外壳
TO-220-3TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB
IRFBG20PBF-BE3
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Vishay Siliconix
1,757
现货
1 : ¥14.45000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
1.4A（Tc）
10V
11 欧姆 @ 840mA，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 25 V
-
54W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRFBG20PBF
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥14.45000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
1.4A（Tc）
10V
11 欧姆 @ 840mA，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 25 V
-
54W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRFBG20
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
1.4A（Tc）
10V
11 欧姆 @ 840mA，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 25 V
-
54W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
IRF840ALPBF
IRFBG20L
MOSFET N-CH 1000V 1.4A I2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
在售
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
1.4A（Ta）
10V
11 欧姆 @ 840mA，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 25 V
-
-
-
通孔
I2PAK
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。