MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | 分立半导体产品

MT3S111P(TE12L,F)
DigiKey 零件编号	MT3S111P(TE12LF)TR-ND - 卷带（TR） MT3S111P(TE12LF)CT-ND - 剪切带（CT） MT3S111P(TE12LF)DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	MT3S111P(TE12L,F)
描述	RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
客户内部零件编号
详细描述	RF 晶体管 NPN 6V 100mA 8GHz 1W 表面贴装型 PW-MINI
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管双极（BJT）双极射频晶体管
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
晶体管类型	NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）	6V
频率 - 跃迁	8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	1.25dB @ 1GHz
增益	10.5dB
功率 - 最大值	1W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	200 @ 30mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	100mA
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	TO-243AA
供应商器件封装	PW-MINI
基本产品编号	MT3S111

MT3S111P(TE12L,F)