STMicroelectronics

STGWA50HP65FB2 沟槽栅场截止 HB2 系列 IGBT

STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 系列代表了先进的专有沟槽栅场截止结构的发展方向

STMicroelectronics STGWA50HP65FB2 沟槽栅场截止 HB2 系列 IGBT 图片STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 系列代表了先进的专有沟槽栅场截止结构的发展方向。由于低电流值时具有更好的 VCE(sat) 表现，HB2 系列的传导性能得到优化，并具有较低的开关能量。封装内部带有一个专门用于保护并与 IGBT 反向并联的二极管。所得到的产品可最大限度地提高各种快速应用的效率。

特性
  • 最高结温：TJ = +175 °C
  • IC = 20 A 时 VCE(sat) = 1.65 V（典型值）
  • 封装内带有保护二极管
  • 最小化尾电流
  • 紧密的参数分布
  • 热阻低
  • 正 VCE(sat) 温度系数

STGWA50HP65FB2 Trench Gate Field Stop HB2 Series IGBTs

图片制造商零件编号描述电流 - 集电极脉冲 (Icm)不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）可供货数量价格查看详情
IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247STGWA20HP65FB2IGBT TRENCH FS 650V 40A TO24760 A2.1V @ 15V，20A600 - 立即发货$26.05查看详情
IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247STGWA50HP65FB2IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247150 A2V @ 15V，50A481 - 立即发货$29.94查看详情
发布日期： 2020-07-20