SDRAM - 移动 LPDDR4X 存储器 IC 2Gb LVSTL_11 1.6 GHz 3.5 ns 200-WFBGA(10x14.5)
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

W66BQ6NBUAFJ TR

DigiKey 零件编号
256-W66BQ6NBUAFJTR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
W66BQ6NBUAFJ TR
描述
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
客户内部零件编号
详细描述
SDRAM - 移动 LPDDR4X 存储器 IC 2Gb LVSTL_11 1.6 GHz 3.5 ns 200-WFBGA(10x14.5)
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
存储器接口
LVSTL_11
制造商
时钟频率
1.6 GHz
包装
卷带(TR)
写周期时间 - 字,页
18ns
零件状态
停产
访问时间
3.5 ns
DigiKey 可编程
未验证
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V
存储器类型
易失
工作温度
-40°C ~ 105°C(TC)
存储器格式
安装类型
表面贴装型
技术
SDRAM - 移动 LPDDR4X
封装/外壳
存储容量
供应商器件封装
200-WFBGA(10x14.5)
存储器组织
128M x 16
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
过期
此产品已停产。 查看 替代包装类型。