Name: TK20G60W,RVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK20G60WRVQTR-ND
Price: 37.21 CNY
Availability: InStock

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TK20G60W,RVQ
DigiKey 零件编号	TK20G60WRVQTR-ND - 卷带（TR） TK20G60WRVQCT-ND - 剪切带（CT） TK20G60WRVQDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TK20G60W,RVQ
描述	MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 20A（Ta） 165W（Tc） D2PAK
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TK20G60W,RVQ 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.7V @ 1mA
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 48 nC @ 10 V
系列 DTMOSIV	Vgs（最大值） ±30V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1680 pF @ 300 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 165W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 D2PAK
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A（Ta）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 TK20G60
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 155 毫欧 @ 10A，10V

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