Name: CSD19536KTTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-41136-2-ND
Price: 64.92 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

CSD19536KTTT
DigiKey 零件编号	296-41136-2-ND - 卷带（TR） 296-41136-1-ND - 剪切带（CT） 296-41136-6-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Texas Instruments
制造商产品编号	CSD19536KTTT
描述	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
原厂标准交货期	12 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 200A（Ta） 375W（Tc） TO-263（DDPAK-3）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	CSD19536KTTT 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.2V @ 250µA
制造商 Texas Instruments	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 153 nC @ 10 V
系列 NexFET™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 12000 pF @ 50 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 375W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 100 V	供应商器件封装 TO-263（DDPAK-3）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200A（Ta）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V	基本产品编号 CSD19536
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.4 毫欧 @ 100A，10V