STW75N60M6 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

类似


onsemi
现货: 731
单价: ¥119.75000
规格书

类似


onsemi
现货: 358
单价: ¥132.73000
规格书

类似


onsemi
现货: 0
单价: ¥0.00000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 880
单价: ¥268.94000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 313
单价: ¥122.15000
规格书

类似


Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 300
单价: ¥128.43000
规格书

类似


Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 295
单价: ¥101.39000
规格书
通孔 N 通道 600 V 72A(Tc) 446W(Tc) TO-247-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

STW75N60M6

DigiKey 零件编号
STW75N60M6-ND
制造商
制造商产品编号
STW75N60M6
描述
MOSFET N-CH 600V 72A TO247
原厂标准交货期
20 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 72A(Tc) 446W(Tc) TO-247-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
STW75N60M6 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.75V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
106 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±25V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4850 pF @ 100 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
446W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
600 V
供应商器件封装
TO-247-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
36 毫欧 @ 36A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (7)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
FCH041N60Eonsemi731FCH041N60E-ND¥119.75000类似
FCH041N65EF-F155onsemi358FCH041N65EF-F155OS-ND¥132.73000类似
FCH76N60NFonsemi0FCH76N60NF-ND¥0.00000类似
SCT3030ALGC11Rohm Semiconductor880SCT3030ALGC11-ND¥268.94000类似
TK62N60X,S1FToshiba Semiconductor and Storage313TK62N60XS1F-ND¥122.15000类似
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所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
600¥42.25995¥25,355.97
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。