STW70N65M2 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

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IXYS
现货: 3,650
单价: ¥154.65000
规格书

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IXYS
现货: 0
单价: ¥99.96500

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IXYS
现货: 210
单价: ¥245.78000
规格书

类似


IXYS
现货: 115
单价: ¥151.34000
规格书

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Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 300
单价: ¥128.43000
规格书

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Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 295
单价: ¥101.39000
规格书

类似


Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 265
单价: ¥89.40000
规格书
通孔 N 通道 650 V 63A(Tc) 446W(Tc) TO-247-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

STW70N65M2

DigiKey 零件编号
STW70N65M2-ND
制造商
制造商产品编号
STW70N65M2
描述
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
原厂标准交货期
20 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 63A(Tc) 446W(Tc) TO-247-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
STW70N65M2 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
117 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±25V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5140 pF @ 100 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
446W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
650 V
供应商器件封装
TO-247-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
46 毫欧 @ 31.5A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (7)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IXFH80N65X2IXYS3,650238-IXFH80N65X2-ND¥154.65000类似
IXFX90N60XIXYS0IXFX90N60X-ND¥99.96500类似
IXKH70N60C5IXYS210238-IXKH70N60C5-ND¥245.78000类似
IXTH80N65X2IXYS115IXTH80N65X2-ND¥151.34000类似
TSM60NE048PW C0GTaiwan Semiconductor Corporation3001801-TSM60NE048PWC0G-ND¥128.43000类似
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管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
600¥60.06333¥36,038.00
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。