STW37N60DM2AG 已经过时且不再制造。
可用替代品:

MFR Recommended


STMicroelectronics
现货: 0
单价: ¥66.16000
规格书

类似


IXYS
现货: 2,789
单价: ¥92.54000
规格书

类似


IXYS
现货: 357
单价: ¥113.05000
规格书

类似


IXYS
现货: 30
单价: ¥387.78000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥192.11807
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥122.77307
规格书

类似


IXYS
现货: 38
单价: ¥281.92000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥64.01000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥71.54000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 26
单价: ¥57.64000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 30
单价: ¥71.78000
规格书
通孔 N 通道 600 V 28A(Tc) 210W(Tc) TO-247-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

STW37N60DM2AG

DigiKey 零件编号
497-16103-5-ND
制造商
制造商产品编号
STW37N60DM2AG
描述
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 28A(Tc) 210W(Tc) TO-247-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
STW37N60DM2AG 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
54 nC @ 10 V
制造商
Vgs(最大值)
±25V
系列
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2400 pF @ 100 V
包装
管件
功率耗散(最大值)
210W(Tc)
零件状态
停产
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
FET 类型
等级
汽车级
技术
资质
AEC-Q101
漏源电压(Vdss)
600 V
安装类型
通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
TO-247-3
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
110 毫欧 @ 14A,10V
基本产品编号
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (11)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
STW45N60DM2AGSTMicroelectronics0497-16132-5-ND¥66.16000MFR Recommended
IXFH34N65X2IXYS2,789238-IXFH34N65X2-ND¥92.54000类似
IXFH50N60P3IXYS357238-IXFH50N60P3-ND¥113.05000类似
IXFR64N60Q3IXYS30IXFR64N60Q3-ND¥387.78000类似
IXFX44N60IXYS0IXFX44N60-ND¥192.11807类似
过期
此产品已停产。 查看 替代品。