STW35N60DM2 没有现货,但可以进行缺货下单。
可用替代品:

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Infineon Technologies
现货: 0
单价: ¥0.00000
规格书

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IXYS
现货: 3,809
单价: ¥92.54000
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IXYS
现货: 30
单价: ¥387.78000
规格书

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IXYS
现货: 0
单价: ¥192.11807
规格书

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IXYS
现货: 0
单价: ¥122.77307
规格书

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IXYS
现货: 38
单价: ¥281.92000
规格书

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IXYS
现货: 0
单价: ¥137.31267
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥37.28667
规格书

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IXYS
现货: 0
单价: ¥0.00000
规格书

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IXYS
现货: 203
单价: ¥83.78000
规格书

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Vishay Siliconix
现货: 490
单价: ¥63.60000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥64.01000
规格书

类似


Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 295
单价: ¥101.39000
规格书

类似


Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 265
单价: ¥89.40000
规格书
通孔 N 通道 600 V 28A(Tc) 210W(Tc) TO-247-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
通孔 N 通道 600 V 28A(Tc) 210W(Tc) TO-247-3

STW35N60DM2

DigiKey 零件编号
497-STW35N60DM2-ND
制造商
制造商产品编号
STW35N60DM2
描述
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
原厂标准交货期
20 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 28A(Tc) 210W(Tc) TO-247-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
STW35N60DM2 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
54 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±25V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2400 pF @ 100 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
210W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
600 V
供应商器件封装
TO-247-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
110 毫欧 @ 14A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (14)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IPW65R125C7XKSA1Infineon Technologies0IPW65R125C7XKSA1-ND¥0.00000类似
IXFH34N65X2IXYS3,809238-IXFH34N65X2-ND¥92.54000类似
IXFR64N60Q3IXYS30IXFR64N60Q3-ND¥387.78000类似
IXFX44N60IXYS0IXFX44N60-ND¥192.11807类似
IXFX48N60PIXYS0IXFX48N60P-ND¥122.77307类似
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数量 单价
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1¥48.38000¥48.38
30¥27.25800¥817.74
120¥22.59983¥2,711.98
510¥19.18412¥9,783.90
1,020¥17.93778¥18,296.54
2,010¥17.08376¥34,338.36
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。