STW35N60DM2 没有现货,但可以进行缺货下单。
可用替代品:

参数等效


STMicroelectronics
现货: 600
单价: ¥65.82000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: ¥0.00000
规格书

类似


IXYS
现货: 98
单价: ¥77.73000
规格书

类似


IXYS
现货: 30
单价: ¥323.75000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥135.59123
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥86.64957
规格书

类似


IXYS
现货: 38
单价: ¥235.76000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥137.76900
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥37.28433
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥0.00000
规格书

类似


IXYS
现货: 203
单价: ¥70.37000
规格书

类似


Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 295
单价: ¥94.77000
规格书

类似


Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 265
单价: ¥83.60000
规格书
TO-247-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
TO-247-3

STW35N60DM2

DigiKey 零件编号
497-STW35N60DM2-ND
制造商
制造商产品编号
STW35N60DM2
描述
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
原厂标准交货期
16 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 28A(Tc) 210W(Tc) TO-247-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
STW35N60DM2 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
110 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
54 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2400 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
210W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
基本产品编号
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管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥45.90000¥45.90
30¥25.88900¥776.67
120¥21.47783¥2,577.34
510¥18.24290¥9,303.88
1,020¥17.43096¥17,779.58
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。