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市场产品
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
STQ1NK80ZR-AP | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 497-6197-1-ND - 剪切带（CT） 497-6197-3-ND - 带盒（TB） |
制造商 | |
制造商产品编号 | STQ1NK80ZR-AP |
描述 | MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3 |
原厂标准交货期 | 16 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 800 V 300mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | STQ1NK80ZR-AP 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 剪切带（CT） 带盒（TB） | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 800 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 欧姆 @ 500mA，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.7 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 160 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 3W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-92-3 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
现货: 2,294
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数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带（CT）
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.16000 | ¥11.16 |
| 10 | ¥7.03800 | ¥70.38 |
| 100 | ¥4.64030 | ¥464.03 |
| 500 | ¥3.61184 | ¥1,805.92 |
| 1,000 | ¥3.28071 | ¥3,280.71 |
带盒（TB）
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 2,000 | ¥3.00201 | ¥6,004.02 |
| 4,000 | ¥2.76764 | ¥11,070.56 |
| 6,000 | ¥2.64825 | ¥15,889.50 |
| 10,000 | ¥2.51410 | ¥25,141.00 |
| 14,000 | ¥2.43469 | ¥34,085.66 |
| 20,000 | ¥2.35750 | ¥47,150.00 |
