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STP33N60DM2 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 497-16352-5-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | STP33N60DM2 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 24A TO220 |
原厂标准交货期 | 18 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 600 V 24A(Tc) 190W(Tc) TO-220 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | STP33N60DM2 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 43 nC @ 10 V |
系列 | Vgs(最大值) ±25V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1870 pF @ 100 V |
零件状态 在售 | 功率耗散(最大值) 190W(Tc) |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压(Vdss) 600 V | 供应商器件封装 TO-220 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 130 毫欧 @ 12A,10V |
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| 数量 | 单价 (含 13% 增值税) | 总价 (含 13% 增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥43.09000 | ¥43.09 |
| 50 | ¥22.34060 | ¥1,117.03 |
| 100 | ¥20.33180 | ¥2,033.18 |
| 500 | ¥16.81356 | ¥8,406.78 |
| 1,000 | ¥15.68372 | ¥15,683.72 |
| 2,000 | ¥14.73437 | ¥29,468.74 |
| 5,000 | ¥14.62033 | ¥73,101.65 |