Name: STB18N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13083-2-ND
Price: 32.25 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

STB18N65M5
DigiKey 零件编号	497-13083-2-ND - 卷带（TR） 497-13083-1-ND - 剪切带（CT） 497-13083-6-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	STMicroelectronics
制造商产品编号	STB18N65M5
描述	MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
原厂标准交货期	18 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 15A（Tc） 110W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	STB18N65M5 型号

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
制造商 STMicroelectronics	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 31 nC @ 10 V
系列 MDmesh™ V	Vgs（最大值） ±25V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1240 pF @ 100 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 110W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 650 V	供应商器件封装 TO-263（D2PAK）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 STB18
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 220 毫欧 @ 7.5A，10V

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替代品 (10)

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