Name: STB10N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB10N60M2TR-ND
Price: 21.5 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

STB10N60M2
DigiKey 零件编号	497-STB10N60M2TR-ND - 卷带（TR） 497-STB10N60M2CT-ND - 剪切带（CT） 497-STB10N60M2DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	STMicroelectronics
制造商产品编号	STB10N60M2
描述	MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
原厂标准交货期	18 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 7.5A（Tc） 85W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	STB10N60M2 型号

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 STMicroelectronics	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 13.5 nC @ 10 V
系列 MDmesh™ II Plus	Vgs（最大值） ±25V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 400 pF @ 100 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 85W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 TO-263（D2PAK）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.5A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 STB10
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V

报告产品信息错误

文档与媒体

环境与出口分类

其他资源

替代品 (8)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IRFS9N60APBF	Vishay Siliconix	20	IRFS9N60APBF-ND	¥40.44000	类似
IRFS9N60ATRLPBF	Vishay Siliconix	845	IRFS9N60ATRLPBFCT-ND	¥40.44000	类似
IRFS9N60ATRRPBF	Vishay Siliconix	800	742-IRFS9N60ATRRPBFCT-ND	¥40.44000	类似
IXFA10N60P	IXYS	113	IXFA10N60P-ND	¥51.19000	类似
IXFA14N60P	IXYS	90	IXFA14N60P-ND	¥59.13000	类似

展开

现货: 203

检查是否有其他入库库存

数量

所有价格均以 CNY 计算

剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带

* 所有 Digi-Reel® 订单会收取 ¥49.00 卷盘费。

卷带（TR）

制造商标准包装

STB10N60M2