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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
A1P50S65M2 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 497-18064-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | A1P50S65M2 |
描述 | IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK 1 |
原厂标准交货期 | 24 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 650 V 50 A 208 W 底座安装 ACEPACK™ 1 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | A1P50S65M2 型号 |
产品属性
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类别 | 电流 - 集电极截止（最大值） 100 µA |
制造商 STMicroelectronics | 不同 Vce 时输入电容 (Cies) 4.15 nF @ 25 V |
包装 托盘 | 输入 标准 |
零件状态 在售 | NTC 热敏电阻 是 |
IGBT 类型 沟槽型场截止 | 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ） |
配置 三相反相器 | 安装类型 底座安装 |
电压 - 集射极击穿（最大值） 650 V | 封装/外壳 模块 |
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 50 A | 供应商器件封装 ACEPACK™ 1 |
功率 - 最大值 208 W | 基本产品编号 |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 2.3V @ 15V，50A |
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替代品 (2)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| A1P50S65M2-F | STMicroelectronics | 0 | A1P50S65M2-F-ND | ¥345.19194 | 参数等效 |
| A2C50S65M2-F | STMicroelectronics | 0 | A2C50S65M2-F-ND | ¥516.24556 | 参数等效 |
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| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥408.95000 | ¥408.95 |
| 18 | ¥290.41444 | ¥5,227.46 |
| 108 | ¥273.93287 | ¥29,584.75 |
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