Name: RSJ650N10TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSJ650N10TLTR-ND
Price: 66.57 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

RSJ650N10TL
DigiKey 零件编号	RSJ650N10TLTR-ND - 卷带（TR） RSJ650N10TLCT-ND - 剪切带（CT） RSJ650N10TLDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Rohm Semiconductor
制造商产品编号	RSJ650N10TL
描述	MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 65A（Ta） 100W（Tc） LPTS
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	RSJ650N10TL 型号

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 260 nC @ 10 V
制造商 Rohm Semiconductor	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 10780 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 100W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 100 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 65A（Ta）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V	供应商器件封装 LPTS
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9.1 毫欧 @ 32.5A，10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 1mA	基本产品编号 RSJ650

报告产品信息错误

文档与媒体

环境与出口分类

其他资源

替代品 (4)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IXFA130N10T2	IXYS	983	238-IXFA130N10T2-ND	¥13.76000	类似
IXTA130N10T	IXYS	703	238-IXTA130N10T-ND	¥12.19000	类似
SUM70090E-GE3	Vishay Siliconix	4,533	SUM70090E-GE3CT-ND	¥4.66000	类似
IRLS4030TRLPBF	Infineon Technologies	3,806	IRLS4030TRLPBFCT-ND	¥7.23000	类似