Name: RSH090N03TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RSH090N03TB1TR-ND
Price: 3.78802 CNY
Availability: OutOfStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 1mA
制造商 Rohm Semiconductor	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 15 nC @ 5 V
包装卷带（TR）	Vgs（最大值） 20V
零件状态不适用于新设计	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 810 pF @ 10 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 2W（Ta）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 150°C
漏源电压（Vdss） 30 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A（Ta）	供应商器件封装 8-SOP
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V	封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 16 毫欧 @ 9A，10V	基本产品编号 RSH090