Name: RS1G260MNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1G260MNTBTR-ND
Price: 22.49 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

RS1G260MNTB
DigiKey 零件编号	RS1G260MNTBTR-ND - 卷带（TR） RS1G260MNTBCT-ND - 剪切带（CT） RS1G260MNTBDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Rohm Semiconductor
制造商产品编号	RS1G260MNTB
描述	MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 40 V 26A（Ta），80A（Tc） 3W（Ta），35W（Tc） 8-HSOP
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	RS1G260MNTB 型号

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 1mA
制造商 Rohm Semiconductor	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 44 nC @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±20V
零件状态不适用于新设计	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2988 pF @ 20 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 3W（Ta），35W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 40 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 26A（Ta），80A（Tc）	供应商器件封装 8-HSOP
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 8-PowerTDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.3 毫欧 @ 26A，10V	基本产品编号 RS1G