RS1E300GNTB 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

类似


Rohm Semiconductor
现货: 2,379
单价: ¥23.65000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 2,015
单价: ¥15.88000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: ¥20.26000
规格书

类似


Texas Instruments
现货: 3,384
单价: ¥16.46000
规格书

类似


onsemi
现货: 0
单价: ¥3.87678
规格书

类似


onsemi
现货: 4,300
单价: ¥22.08000
规格书
表面贴装型 N 通道 30 V 30A(Ta),80A(Tc) 3W(Ta),33W(Tc) 8-HSOP
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

RS1E300GNTB

DigiKey 零件编号
846-RS1E300GNTR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
RS1E300GNTB
描述
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 30 V 30A(Ta),80A(Tc) 3W(Ta),33W(Tc) 8-HSOP
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
RS1E300GNTB 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
39.8 nC @ 10 V
包装
卷带(TR)
Vgs(最大值)
±20V
零件状态
不适用于新设计
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2500 pF @ 15 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
3W(Ta),33W(Tc)
技术
工作温度
150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
30 V
安装类型
表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
8-HSOP
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.2 毫欧 @ 30A,10V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (6)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
RS1E301GNTB1Rohm Semiconductor2,379RS1E301GNTB1CT-ND¥23.65000类似
BSC025N03LSGATMA1Infineon Technologies2,015BSC025N03LSGATMA1CT-ND¥15.88000类似
BSZ019N03LSATMA1Infineon Technologies0BSZ019N03LSATMA1CT-ND¥20.26000类似
CSD17576Q5BTexas Instruments3,384296-43635-1-ND¥16.46000类似
FDMS0306ASonsemi0FDMS0306ASCT-ND¥3.87678类似
按订单供货
此产品在 DigiKey 没有现货。所示交货期属制造商交付 DigiKey 所需时间。收到产品后,DigiKey 会立即发货以完成未结订单。
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 查看 替代品。
不可取消/不可退货
所有价格均以 CNY 计算
卷带(TR)
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
2,500¥4.16460¥10,411.50
制造商标准包装