Name: RS1E200GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200GNTBTR-ND
Price: 10.92 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

RS1E200GNTB
DigiKey 零件编号	RS1E200GNTBTR-ND - 卷带（TR） RS1E200GNTBCT-ND - 剪切带（CT） RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Rohm Semiconductor
制造商产品编号	RS1E200GNTB
描述	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta），57A（Tc） 3W（Ta），25W（Tc） 8-HSOP
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	RS1E200GNTB 型号

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 1mA
制造商 Rohm Semiconductor	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 16.8 nC @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1080 pF @ 15 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 3W（Ta），25W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 30 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A（Ta），57A（Tc）	供应商器件封装 8-HSOP
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 8-PowerTDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.6 毫欧 @ 20A，10V	基本产品编号 RS1E

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
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