Name: RQ3E100GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E100GNTBTR-ND
Price: 6.2 CNY
Availability: InStock

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RQ3E100GNTB
DigiKey 零件编号	RQ3E100GNTBTR-ND - 卷带（TR） RQ3E100GNTBCT-ND - 剪切带（CT） RQ3E100GNTBDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Rohm Semiconductor
制造商产品编号	RQ3E100GNTB
描述	MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 10A（Ta） 2W（Ta），15W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	RQ3E100GNTB 型号

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 1mA
制造商 Rohm Semiconductor	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 7.9 nC @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 420 pF @ 15 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 2W（Ta），15W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 30 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A（Ta）	供应商器件封装 8-HSMT（3.2x3）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 8-PowerVDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 11.7 毫欧 @ 10A，10V	基本产品编号 RQ3E100

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