IGBT 沟槽型场截止 650 V 31 A 66 W 通孔 TO-3PFM
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RGTH80TK65DGC11

DigiKey 零件编号
RGTH80TK65DGC11-ND
制造商
制造商产品编号
RGTH80TK65DGC11
描述
IGBT TRENCH FS 650V 31A TO-3PFM
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 沟槽型场截止 650 V 31 A 66 W 通孔 TO-3PFM
规格书
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产品属性
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类别
输入类型
标准
制造商
Rohm Semiconductor
栅极电荷
79 nC
包装
管件
25°C 时 Td(开/关)值
34ns/120ns
零件状态
不适用于新设计
测试条件
400V,40A,10 欧姆,15V
IGBT 类型
沟槽型场截止
反向恢复时间 (trr)
58 ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
31 A
安装类型
通孔
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
封装/外壳
TO-3PFM,SC-93-3
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,40A
供应商器件封装
TO-3PFM
功率 - 最大值
66 W
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
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替代品 (1)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
RFUH20TB4SNZC9Rohm Semiconductor979846-RFUH20TB4SNZC9-ND¥4.03000MFR Recommended
现货: 450
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管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥62.11000¥62.11
30¥35.88367¥1,076.51
120¥32.13242¥3,855.89
制造商标准包装
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