IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 133 W 通孔 TO-262
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RGT30NS65DGC9

DigiKey 零件编号
RGT30NS65DGC9-ND
制造商
制造商产品编号
RGT30NS65DGC9
描述
IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262
原厂标准交货期
22 周
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 133 W 通孔 TO-262
规格书
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产品属性
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类别
输入类型
标准
制造商
Rohm Semiconductor
栅极电荷
32 nC
包装
管件
25°C 时 Td(开/关)值
18ns/64ns
零件状态
在售
测试条件
400V,15A,10 欧姆,15V
IGBT 类型
沟槽型场截止
反向恢复时间 (trr)
55 ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
30 A
安装类型
通孔
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
45 A
封装/外壳
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,15A
供应商器件封装
TO-262
功率 - 最大值
133 W
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
现货: 2,894
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一旦现有产品库存耗尽,将采用制造商的标准包装和提前期。
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥31.92000¥31.92
50¥16.18440¥809.22
100¥14.66350¥1,466.35
500¥11.99794¥5,998.97
1,000¥11.14159¥11,141.59
2,000¥10.65796¥21,315.92
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。