Name: RD3S100AAFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3S100AAFRATLTR-ND
Price: 32.25 CNY
Availability: InStock

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RD3S100AAFRATL
DigiKey 零件编号	846-RD3S100AAFRATLTR-ND - 卷带（TR） 846-RD3S100AAFRATLCT-ND - 剪切带（CT） 846-RD3S100AAFRATLDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Rohm Semiconductor
制造商产品编号	RD3S100AAFRATL
描述	MOSFET N-CH 190V 10A TO252
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 190 V 10A（Tc） 85W（Tc） TO-252
规格书	规格书

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 52 nC @ 10 V
制造商 Rohm Semiconductor	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2000 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 85W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 190 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A（Tc）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V	供应商器件封装 TO-252
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 182 毫欧 @ 5A，10V	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 1mA	基本产品编号 RD3S100