R8010ANX 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

类似


Rohm Semiconductor
现货: 1,241
单价: ¥44.99000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 1,613
单价: ¥33.66000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 378
单价: ¥21.75000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 962
单价: ¥19.52000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: ¥43.58000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 14
单价: ¥23.49000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 0
单价: ¥26.13000
规格书
通孔 N 通道 800 V 10A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

R8010ANX

DigiKey 零件编号
R8010ANX-ND
制造商
制造商产品编号
R8010ANX
描述
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 800 V 10A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
R8010ANX 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
62 nC @ 10 V
包装
散装
Vgs(最大值)
±30V
零件状态
不适用于新设计
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1750 pF @ 25 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
40W(Tc)
技术
工作温度
150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
800 V
安装类型
通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
TO-220FM
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
560 毫欧 @ 5A,10V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (7)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
R8009KNXC7GRohm Semiconductor1,241846-R8009KNXC7GCT-ND¥44.99000类似
SPA11N80C3XKSA1Infineon Technologies1,613448-SPA11N80C3XKSA1-ND¥33.66000类似
STF10NM60NDSTMicroelectronics378497-12246-ND¥21.75000类似
STF11N60M2-EPSTMicroelectronics962497-STF11N60M2-EP-ND¥19.52000类似
STP14NK60ZFPSTMicroelectronics0497-12608-5-ND¥43.58000类似
按订单供货
此产品在 DigiKey 没有现货。所示交货期属制造商交付 DigiKey 所需时间。收到产品后,DigiKey 会立即发货以完成未结订单。
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 查看 替代品。
所有价格均以 CNY 计算
散装
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
500¥16.69662¥8,348.31
制造商标准包装