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R6076MNZ1C9 已经过时且不再制造。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
R6076MNZ1C9 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | R6076MNZ1C9-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | R6076MNZ1C9 |
描述 | MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 600 V 76A（Tc） 740W（Tc） TO-247 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | R6076MNZ1C9 型号 |
产品属性
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 1mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 115 nC @ 10 V |
包装 管件 | Vgs（最大值） ±30V |
零件状态 停产 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 7000 pF @ 25 V |
FET 类型 | 功率耗散（最大值） 740W（Tc） |
技术 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
漏源电压（Vdss） 600 V | 安装类型 通孔 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 TO-247 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 封装/外壳 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 55 毫欧 @ 38A，10V | 基本产品编号 |
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替代品 (8)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| R6070JNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 484 | 846-R6070JNZ4C13-ND | ¥157.30000 | 类似 |
| RBR3LAM30ATR | Rohm Semiconductor | 1,044 | RBR3LAM30ACT-ND | ¥5.54000 | 类似 |
| IXFH60N65X2 | IXYS | 5,069 | 238-IXFH60N65X2-ND | ¥127.44000 | 类似 |
| IXFX80N60P3 | IXYS | 188 | IXFX80N60P3-ND | ¥200.30000 | 类似 |
| SIHG47N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG47N60E-GE3-ND | ¥92.46000 | 类似 |
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