R6020KNZ1C9 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接


Rohm Semiconductor
现货: 402
单价: ¥70.87000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 17
单价: ¥54.00000
规格书

直接


onsemi
现货: 381
单价: ¥61.78000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 1,659
单价: ¥39.86000
规格书

类似


IXYS
现货: 560
单价: ¥131.74000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥114.21000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥84.82920
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥160.02000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥235.51297
规格书

类似


IXYS
现货: 326
单价: ¥74.68000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥17.94094
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥48.96000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 378
单价: ¥59.96000
规格书
通孔 N 通道 600 V 20A(Tc) 231W(Tc) TO-247
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

R6020KNZ1C9

DigiKey 零件编号
R6020KNZ1C9-ND
制造商
Rohm Semiconductor
制造商产品编号
R6020KNZ1C9
描述
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 20A(Tc) 231W(Tc) TO-247
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
R6020KNZ1C9 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40 nC @ 10 V
包装
管件
Vgs(最大值)
±20V
零件状态
停产
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1550 pF @ 25 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
231W(Tc)
技术
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
600 V
安装类型
通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
TO-247
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
196 毫欧 @ 9.5A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (13)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
R6020KNZ4C13Rohm Semiconductor402846-R6020KNZ4C13-ND¥70.87000直接
R6020KNZC17Rohm Semiconductor17846-R6020KNZC17-ND¥54.00000类似
FCH190N65F-F155onsemi381FCH190N65F-F155-ND¥61.78000直接
IPW60R190C6FKSA1Infineon Technologies1,659IPW60R190C6FKSA1-ND¥39.86000类似
IXFH36N60PIXYS560IXFH36N60P-ND¥131.74000类似
过期
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