Name: R6009ENX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6009ENX-ND
Price: 37.38 CNY
Availability: InStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
制造商 Rohm Semiconductor	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 23 nC @ 10 V
包装散装	Vgs（最大值） ±20V
零件状态不适用于新设计	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 430 pF @ 25 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 40W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 600 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A（Tc）	供应商器件封装 TO-220FM
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-220-3 整包
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 535 毫欧 @ 2.8A，10V	基本产品编号 R6009

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
FCPF600N60Z	onsemi	624	FCPF600N60Z-ND	¥26.71000	类似
SPA11N80C3XKSA1	Infineon Technologies	1,613	448-SPA11N80C3XKSA1-ND	¥28.78000	类似
STF11N60DM2	STMicroelectronics	1,322	497-16960-ND	¥19.43000	类似
STP11NM60FDFP	STMicroelectronics	120	497-5392-5-ND	¥56.48000	类似
TK8A60W,S4VX	Toshiba Semiconductor and Storage	34	TK8A60WS4VX-ND	¥29.85000	类似