Name: AG532EES4FRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-AG532EES4FRATCBTR-ND
Price: 19.93 CNY
Availability: OutOfStock

DigiKey 新品

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

AG532EES4FRATCB
DigiKey 零件编号	846-AG532EES4FRATCBTR-ND - 卷带（TR） 846-AG532EES4FRATCBCT-ND - 剪切带（CT） 846-AG532EES4FRATCBDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Rohm Semiconductor
制造商产品编号	AG532EES4FRATCB
描述	PCH -30V -85A, HPLF5060T5LSAH, P
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 30 V 85A（Tc） 75W（Tc） HPLF5060T5LSAH
规格书	规格书

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 38 nC @ 10 V
制造商 Rohm Semiconductor	Vgs（最大值） +5V，-20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1840 pF @ 15 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 75W（Tc）
FET 类型 P 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 30 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 85A（Tc）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	供应商器件封装 HPLF5060T5LSAH
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 10.3 毫欧 @ 10A，10V	封装/外壳 SC-100，SOT-669
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 2.5mA