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IPP65R190E6XKSA1 已经过时且不再制造。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IPP65R190E6XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IPP65R190E6XKSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IPP65R190E6XKSA1 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO220-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IPP65R190E6XKSA1 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 730µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 73 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±20V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1620 pF @ 100 V |
零件状态 停产 | 功率耗散（最大值） 151W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 650 V | 供应商器件封装 PG-TO220-3 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 190 毫欧 @ 7.3A，10V |
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替代品 (9)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R190C7FKSA1 | Infineon Technologies | 1 | 448-IPP65R190C7FKSA1-ND | ¥35.23000 | MFR Recommended |
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