TPH3207WS 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


Renesas Electronics Corporation
现货: 0
单价: ¥195.34000
规格书

类似


IXYS
现货: 210
单价: ¥245.78000
规格书

类似


IXYS
现货: 115
单价: ¥151.34000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 348
单价: ¥104.86000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 379
单价: ¥93.62000
规格书
通孔 N 通道 650 V 50A(Tc) 178W(Tc) TO-247-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
通孔 N 通道 650 V 50A(Tc) 178W(Tc) TO-247-3
Welcome to the GaN Revolution!
Transform talks latest developments in GaN technology

TPH3207WS

DigiKey 零件编号
TPH3207WS-ND
制造商
制造商产品编号
TPH3207WS
描述
GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 50A(Tc) 178W(Tc) TO-247-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
TPH3207WS 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.65V @ 700µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
42 nC @ 8 V
包装
管件
Vgs(最大值)
±18V
零件状态
停产
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2197 pF @ 400 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
178W(Tc)
技术
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
650 V
安装类型
通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
TO-247-3
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
41 毫欧 @ 32A,8V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (5)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
TP65H035WSRenesas Electronics Corporation0TP65H035WS-ND¥195.34000类似
IXKH70N60C5IXYS210238-IXKH70N60C5-ND¥245.78000类似
IXTH80N65X2IXYS115IXTH80N65X2-ND¥151.34000类似
SIHG73N60AE-GE3Vishay Siliconix348SIHG73N60AE-GE3-ND¥104.86000类似
STW65N65DM2AGSTMicroelectronics379497-16127-5-ND¥93.62000类似
过期
此产品已停产。 查看 替代品。