Name: TP65H480G4JSG-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H480G4JSG-TR-ND
Price: 18.03 CNY
Availability: InStock

表面贴装型 N 通道 650 V 3.6A（Tc） 13.2W（Tc） 3-PQFN（5x6）

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

TP65H480G4JSG-TR
DigiKey 零件编号	1707-TP65H480G4JSG-TR-ND - 卷带（TR） 1707-TP65H480G4JSG-CT-ND - 剪切带（CT） 1707-TP65H480G4JSG-DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Renesas Electronics Corporation
制造商产品编号	TP65H480G4JSG-TR
描述	GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 3.6A（Tc） 13.2W（Tc） 3-PQFN（5x6）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TP65H480G4JSG-TR 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.8V @ 500µA
制造商 Renesas Electronics Corporation	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9 nC @ 8 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±18V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 760 pF @ 400 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 13.2W（Tc）
技术 GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 650 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.6A（Tc）	供应商器件封装 3-PQFN（5x6）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V	封装/外壳 3-PowerTDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 560 毫欧 @ 3.4A，8V	基本产品编号 TP65H480