TP65H300G4LSG-TR Renesas Electronics Corporation | 分立半导体产品

TP65H300G4LSG-TR
DigiKey 零件编号	1707-TP65H300G4LSG-TR-ND - 卷带（TR） 1707-TP65H300G4LSG-TRCT-ND - 剪切带（CT） 1707-TP65H300G4LSG-TRDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Renesas Electronics Corporation
制造商产品编号	TP65H300G4LSG-TR
描述	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 6.5A（Tc） 21W（Tc） 3-PQFN（8x8）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TP65H300G4LSG-TR 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Renesas Electronics Corporation
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	Digi-Key 停止提供
FET 类型	N 通道
技术	GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	312毫欧 @ 5A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	9.6 nC @ 8 V
Vgs（最大值）	±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	760 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	21W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	3-PQFN（8x8）
封装/外壳	3-PowerDFN
基本产品编号	TP65H300

TP65H300G4LSG-TR