Name: NVMTS1D2N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS1D2N08HTR-ND
Price: 62.19 CNY
Availability: InStock

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NVMTS1D2N08H
DigiKey 零件编号	488-NVMTS1D2N08HTR-ND - 卷带（TR） 488-NVMTS1D2N08HCT-ND - 剪切带（CT） 488-NVMTS1D2N08HDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NVMTS1D2N08H
描述	MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
原厂标准交货期	33 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 80 V 43.5A（Ta），337A（Tc） 5W（Ta），300W（Tc） 8-DFNW（8.3x8.4）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NVMTS1D2N08H 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 147 nC @ 10 V
制造商 onsemi	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 10100 pF @ 40 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 5W（Ta），300W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 80 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 43.5A（Ta），337A（Tc）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	供应商器件封装 8-DFNW（8.3x8.4）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.1 毫欧 @ 90A，10V	封装/外壳 8-PowerTDFN
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 590µA	基本产品编号 NVMTS1