Name: NVMFS5C680NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5C680NLT1GOSTR-ND
Price: 14.14 CNY
Availability: OutOfStock

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NVMFS5C680NLT1G
DigiKey 零件编号	NVMFS5C680NLT1GOSTR-ND - 卷带（TR） NVMFS5C680NLT1GOSCT-ND - 剪切带（CT） NVMFS5C680NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NVMFS5C680NLT1G
描述	MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
原厂标准交货期	50 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 8.1A（Ta），21A（Tc） 3.4W（Ta），24W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NVMFS5C680NLT1G 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 5.8 nC @ 10 V
制造商 onsemi	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 330 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 3.4W（Ta），24W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 60 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8.1A（Ta），21A（Tc）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 27.5 毫欧 @ 7.5A，10V	封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 13µA	基本产品编号 NVMFS5

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替代品 (3)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
NP23N06YDG-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	9,990	NP23N06YDG-E1-AYCT-ND	¥18.19000	类似
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