Name: NVMFS5C612NLAFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS5C612NLAFT1GTR-ND
Price: 42.26 CNY
Availability: InStock

新产品

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NVMFS5C612NLAFT1G
DigiKey 零件编号	488-NVMFS5C612NLAFT1GTR-ND - 卷带（TR） 488-NVMFS5C612NLAFT1GCT-ND - 剪切带（CT） 488-NVMFS5C612NLAFT1GDKR-ND
制造商	onsemi
制造商产品编号	NVMFS5C612NLAFT1G
描述	NFET SO8FL 60V
原厂标准交货期	50 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 38A（Ta），250A（Tc） 3.8W（Ta），167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
规格书	规格书

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 91 nC @ 10 V
制造商 onsemi	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6660 pF @ 25 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），167W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 60 V	等级汽车级
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 38A（Ta），250A（Tc）	资质 AEC-Q101
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	安装类型表面贴装型
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.5 毫欧 @ 50A，10V	供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA	封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线