Name: NVB190N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 488-NVB190N65S3FTR-ND
Price: 31.44 CNY
Availability: InStock

NVB190N65S3F
DigiKey 零件编号	488-NVB190N65S3FTR-ND - 卷带（TR） 488-NVB190N65S3FCT-ND - 剪切带（CT） 488-NVB190N65S3FDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NVB190N65S3F
描述	MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
原厂标准交货期	30 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 20A（Tc） 162W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	SuperFET® III
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	190 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 430µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1605 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	162W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263（D2PAK）
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号	NVB190

NVB190N65S3F